Планарные сверхструктурные дефекты в сплавах сверхструктуры L10

Планарные сверхструктурные дефекты оказывают большое влияние на механические и функциональные свойства бинарных упорядоченных сплавов сверхструктуры L1₀ на основе ГЦК решетки, но полный анализ их структуры и энергии сублимации в литературе отсутствует. В данной работе для сплавов сверхструктуры L1₀ стехиометрического состава АВ приведены выражения для расчета энергии сублимации и энергии планарного сверхструктурного дефекта в модели твердых координационных сфер и парных межатомных взаимодействий. Тетрагональность кристаллической решетки не учитывалась. Структура упорядоченного сплава была представлена в виде объединения четырех моноатомных простых кубических решеток, две из которых заняты атомами A, а две другие – атомами B. Такой подход позволяет рассчитать энергию сублимации, необходимую для испарения кристалла. В работе учитывались первые восемь координационных сфер. Показан алгоритм определения всех возможных геометрически различных представлений сверхструктуры L1₀, имеющих одинаковую энергию сублимации. Приведено выражение для нахождения плоскостей залегания всех возможных консервативных антифазных границ. Установлено, что в бинарных упорядоченных сплавах сверхструктуры L1₀ на основе ГЦК решетки присутствуют консервативные и неконсервативные антифазные границы, а также консервативные и неконсервативные границы C-доменов. Алгоритмы, описанные в данной работе, позволяют проводить кристаллогеометрический анализ планарных дефектов как в бинарных, так и в многокомпонентных упорядоченных сплавах с различными сверхструктурами.