PhD (Engineering), assistant professor of Chair of Materials Science and Artsy Products Technology
кандидат технических наук, доцент кафедры материаловедения и технологии художественных изделий
postgraduate student of Chair of Materials Science and Artsy Products Technology
аспирант кафедры материаловедения и технологии художественных изделий
1st category engineer
инженер 1-й категории
The analysis of literature data on the properties of alloys with a semiconductor component shows a significant number of anomalies of physical and mechanical properties left without a comment of the researchers of these alloys. Based on the anomalies in the properties of twelve alloys (Ge-Si, InAs-GaP, GaSb-GaAs, HgTe-CdTe, GaSe-GaS, InSb-AlSb, PbSe-GeTe, Zn-Ge, Ti-Ge, Ge-Tl, ZnTe-HgTe, P-As), the paper attempts to identify a regularity that allows associating these anomalies with state diagrams. For the first time, the authors introduce the concept of phase diagram as a concentration dependence of qualitative changes in crystallization intervals, which allows associating phase diagram with the extremes of physical and mechanical properties of industrially used alloys with a semiconductor component that cannot be explained by the peculiarities of phase composition or structure. The second part of the paper deals with the special aspects of glass formation (amorphization) of multicomponent alloys. Modern literature expresses mutually exclusive judgments about the possibility of using phase equilibrium diagrams to predict the ability to glass-formation, which is well-founded and is probably associated with the absence of a general theory of glass formation. Nevertheless, the analysis of literature data on SiO2-Na2O, Ge-S, GeSe-Se, S-Se alloys shows that the glass formation (amorphization) boundaries are associated with phase diagrams. Based on the identified criterion, the paper shows the possibility of using equilibrium state diagrams built for slow-cooled alloys to predict the glass-forming ability of (fast-cooled) alloys.
Анализ литературных данных по свойствам сплавов с компонентом-полупроводником показывает значительное число аномалий физико-механических свойств, оставленных без комментариев исследователями этих сплавов. В статье на основании аномалий свойств двенадцати сплавов (Ge-Si, InAs-GaP, GaSb-GaAs, HgTe-CdTe, GaSe-GaS, InSb-AlSb, PbSe-GeTe, Zn-Ge, Ti-Ge, Ge-Tl, ZnTe-HgTe, P-As) сделана попытка установить закономерность, позволяющую связать эти аномалии с диаграммами состояния. Впервые вводится представление о диаграмме состояния как о концентрационной зависимости качественных изменений интервалов кристаллизации, что позволяет связать с диаграммой состояния не поддающиеся объяснению особенностями фазового состава или структуры экстремумы физико-механических свойств промышленно используемых сплавов с компонентом-полупроводником. Вторая часть статьи посвящена особенностям стеклообразования (аморфизации) многокомпонентных сплавов. О возможности использовать диаграммы фазовых равновесий для прогнозирования способности к стеклообразованию в современной литературе высказываются взаимоисключающие суждения, что вполне обосновано и, вероятно, связано с отсутствием общей теории стеклообразования. Тем не менее анализ литературных данных по сплавам SiO2-Na2O, Ge-S, GeSe-Se, S-Se показывает, что границы стеклообразования (аморфизации) тесно связаны с диаграммами состояния. На основании установленного критерия показана возможность использования равновесных диаграмм состояния, построенных для медленноохлажденных сплавов, для прогнозирования способности к стеклообразованию (быстроохлажденных) сплавов.